PDIF-CN2单晶晶体管在真空和空气中的高电子迁移率
材料科学
2009-02-06 v1
摘要
我们研究了基于PDIF-CN单晶的场效应晶体管的电子迁移率。选择小分子PDI8-CN家族是因为其在气相沉积薄膜FET中取得了有前景的结果。我们使用一层PMMA（旋涂在SiO之上）作为栅极电介质，以减少氧化物表面羟基基团捕获电子的可能性。对于这些器件，我们在真空中获得了6 cm/Vs的室温迁移率，在空气中获得了3 cm/Vs。我们的测量证明了获得性能可与p型器件相媲美的n型OFET的可能性。
引用
@article{arxiv.0902.0875,
title = {High Electron Mobility in Vacuum and Ambient for PDIF-CN2 Single-Crystal Transistors},
author = {Anna S. Molinari and Helena Alves and Zhihua Chen and Antonio Facchetti and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.0875},
year = {2009}
}
备注
published online in JACS