n 型有机单晶晶体管中的极低偏压应力
材料科学
2015-06-04 v1
摘要
利用带有 Cytop 栅极介电层的 PDIF-CN2 单晶器件，在真空和环境条件下研究了 n 沟道有机场效应晶体管 (OFETs) 中的偏压应力效应。我们发现，与文献中报道的所有 (p 沟道) OFETs 相比，偏压应力量非常小。对 PDIF-CN2 器件施加高达 80 V 的栅极电压长达一周，在真空下源漏电流仅下降约 1%，在空气中下降约 10%。这种卓越的器件稳定性导致了特征时间常数，通过用拉伸指数拟合数据提取得出——在空气中 s，在真空中 s——比先前报道的 p 沟道 OFETs 的最佳值大约两个数量级。
引用
@article{arxiv.1202.2015,
title = {Very low bias stress in n-type organic single crystal transistors},
author = {Mario Barra and Flavia V. Di Girolamo and Nikolas A. Minder and Ignacio Gutiérrez Lezama and Zhihua Chen and Antonio Facchetti and Alberto F. Morpurgo and Antonio Cassinese},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.2015},
year = {2015}
}
备注
Submitted to Applied Physics Letters; 14 pages, 3 figures