单晶有机场效应晶体管的制备与特性：空穴迁移率约为 8 cm2/Vs
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们报告了制作和表征单晶有机 p 型场效应晶体管 (OFETs) 的工作，场效应空穴迁移率 mu \~ 8 cm2/Vs，显著高于薄膜 OFETs 的迁移率。单晶器件不仅在这方面与薄膜 OFETs 相当：单晶器件的迁移率对栅极电压几乎无依赖，而且场效应起始点非常锐利。观察到栅极绝缘电容 Ci = 2 +- 0.2 nF/cm2 时次临界斜率可达 S = 0.85 V/decade。这对应于本征次临界斜率 Si = SCi 至少比最好的薄膜 OFETs 和非晶氢化硅 (a-Si:H) 器件小一个数量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306192,
title = {Single-Crystal Organic Field Effect Transistors with the Hole Mobility ~ 8 cm2/Vs},
author = {V. Podzorov and S. E. Sysoev and E. Loginova and V. M. Pudalov and M. E. Gershenson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306192},
year = {2009}
}