采用Cytop(TM)栅极电介质的有机小分子场效应晶体管：消除栅极偏压应力效应
材料科学
2009-12-21 v1
摘要
我们报道了具有前所未有的抗栅极偏压应力能力的有机场效应晶体管。单晶和薄膜晶体管采用了有机栅极电介质Cytop(TM)。这种含氟聚合物具有高度疏水性，并表现出显著的电气击穿强度。单晶晶体管始终具有非常高的电学质量：接近零的起始电压、非常陡峭的亚阈值摆幅（平均值：1.3 nF V/(dec cm2)）以及可忽略的电流迟滞。此外，长时间的栅极偏压应力仅导致转移特性发生微小变化。与氢化非晶硅相比，有机半导体的稳定性似乎不存在概念上的限制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702472,
title = {Organic small molecule field-effect transistors with Cytop(TM) gate dielectric: eliminating gate bias stress effects},
author = {Wolfgang L. Kalb and Thomas Mathis and Simon Haas and Arno F. Stassen and Bertram Batlogg},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702472},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, to be published in Appl. Phys. Lett