垂直电解质门控有机晶体管:在 MA/cm$^2$ 量级下的连续工作及作为低功耗人工突触的应用
应用物理
2019-10-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
有机半导体通常被认为在高度集成、亚 100 nm 晶体管中不会展现出卓越性能。因此,在此纳米尺度下,单晶材料如 SWCNT、MoS2 或无机半导体是首选材料。在此,我们展示了一种新颖的垂直场效应晶体管设计,其沟道长度仅 40 nm、占位面积为 2 x 80 x 80 nm,在使用电解质门控时,可实现有机聚合物的高电学性能。我们的有机晶体管结合了高于 3 MA/cm 的高导通态电流密度、高达 108 的导通/关断电流调制比以及高达 5000 S/m 的大跨导。鉴于高导通态电流与高导通/关断比,我们的新结构在人工神经网络中亦具应用前景,可作为具有亚 100 fJ 能量消耗的忆阻器件。
引用
@article{arxiv.1902.01854,
title = {Vertical, electrolyte-gated organic transistors: continuous operation in the MA/cm$^2$ regime and use as low-power artificial synapses},
author = {Jakob Lenz and Fabio del Giudice and Fabian R. Geisenhof and Felix Winterer and R. Thomas Weitz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.01854},
year = {2019}
}