影响垂直有机场效应晶体管性能的各种因素的仿真研究
应用物理
2023-01-24 v1
摘要
垂直场效应晶体管（VOFETs）可提供短沟道结构，从而进一步提升低工作电压下的性能，使其更适用于有机电子应用。VOFETs可采用低成本技术制备，降低了高昂的加工成本，并且能够在高电流密度和相对更高频率下工作。为了进一步提升性能、提高电流密度和工作频率，需要通过仿真深入理解载流子输运的物理机制。VOFET的主要问题是高关态电流，这是由于源极到漏极接触的导通而不可避免的。已有许多研究通过在源电极顶部添加绝缘层来降低关态电流，但这进一步增加了加工的复杂性和成本。基于器件几何结构、接触势垒和有机半导体参数进行了仿真，以研究VOFET中的载流子输运。仿真结果表明，提升性能最重要的因素是器件几何结构或架构，其需要特定的填充因子，即暴露的栅介质与源电极总长度之比。随后对优化后的VOFET架构在接触势垒和半导体参数变化下进行了仿真，结果显示性能有一定提升，但关态电流密度也有所上升。
引用
@article{arxiv.2301.09374,
title = {Simulation study of various factors affecting the performance of Vertical Organic Field-Effect Transistors},
author = {Ramesh Singh Bisht and Pramod Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.09374},
year = {2023}
}
备注
23 pages, 13 figures