氧化物表面的超薄有机晶体管
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
近年来，薄膜有机场效应晶体管（OFETs）已开始被视为有源矩阵平板显示器及其他大面积电子学应用中所使用的氢化非晶硅薄膜晶体管（a-Si:H TFTs）的可能替代品。低温可加工性、低成本制造以及与任意衬底的兼容性是 OFETs 的一些突出优势。在可用的众多有机材料中，并五苯因其优异的电学特性和对大气氧气的耐受性，成为当前薄膜 OFET 架构的首要候选材料之一。在近期的文献中，已从衬底处理、并五苯蒸发速率和衬底温度、电极化学性质以及沟道几何形状等角度分析了并五苯的输运性质及晶体管性能。结果表明，并五苯/介电层界面处最初几层有机单层的形貌、晶体结构和分子排列是决定载流子输运现象的关键因素。为了进一步研究这些界面效应，我们构建了一个模型有机场效应晶体管，其本质上由氧化物衬底上的单层并五苯组成。我们将展示作为温度和电场函数的四探针和两探针输运测量结果，并将其与结构近场观测相关联。实验结果提出了一个简单的二维模型，其中氧化物界面处自由载流子与陷阱载流子之间的平衡决定了 OFET 的特性与性能。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408562,
title = {Ultrathin Organic Transistors on Oxide Surfaces},
author = {Maren Daraktchiev and Adrian von Muehlenen and Frank Nuesch and Michel Schaer and Martin Brinkmann and Marie-Noelle Bussac and Libero Zuppiroli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408562},
year = {2009}
}
备注
16 pages with 4 figures, submitted to Advanced Materials