用于极低漏电流的阳极氧化渗透基极垂直有机薄膜晶体管
应用物理
2019-04-01 v2
摘要
有机渗透基极晶体管 (OPBT) 目前是过渡频率达 40 MHz 的最快有机晶体管。它依靠薄的铝基极电极来控制晶体管电流。该电极被一层天然氧化物层包围以进行钝化，目前该层通过在空气中氧化生成。然而，这一过程并不可靠，导致样品间性能差异大、生产缓慢以及相对较高的漏电流。在此，我们首次证明电化学阳极氧化可便捷地用于制造高性能 OPBT，其漏电流大幅降低且工艺参数更受控。实现了高达 99.9996% 的极大透射系数，同时 的优异开关比和大于 300 mA/cm 的高导通电流表明 C 半导体层能够承受电化学阳极氧化。这些结果使阳极氧化成为创新有机晶体管设计的一个极具吸引力的选项。
引用
@article{arxiv.1903.12047,
title = {Vertical Organic Thin-Film Transistor with Anodized Permeable Base for Very Low Leakage Current},
author = {Felix Dollinger and Kyung-Geun Lim and Yang Li and Erjuan Guo and Peter Formánek and René Hübner and Axel Fischer and Hans Kleemann and Karl Leo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.12047},
year = {2019}
}
备注
3 Figures + 5 Figures in Supporting Information