中文

薄氧化铟锡的门控电导——最简单的晶体管

材料科学 2012-04-03 v1 化学物理

摘要

晶体管是现代电子设备的基本构建模块。迄今为止,所有晶体管都基于各种类型的半导体结。最常见的双极结型晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管包含 p-n 结,以根据施加在结上的偏压来控制电流。薄膜晶体管需要金属 - 半导体结来从其沟道注入和提取电子。在此,我们通过阴影掩模将重掺杂的薄氧化铟锡(ITO)薄膜涂覆到生物聚合物壳聚糖/ITO/玻璃基板上,从而获得高性能的无结透明有机 - 无机混合薄膜晶体管。据我们所知,这可能是世界上最简单的晶体管,不仅在其结构上,也在其制造工艺上。此外,我们发现使用增强的壳聚糖/SiO2 混合双层介电堆栈可大幅提高器件性能。我们的结果清楚地表明,这种架构可引领新一代低成本晶体管的发展。

关键词

引用

@article{arxiv.1204.0169,
  title  = {Gated Conductance of Thin Indium Tin Oxide - The Simplest Transistor},
  author = {Jie Jiang and Qing Wan and Jia Sun and Wei Dou and Qing Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0169},
  year   = {2012}
}

备注

25 pages, 7 figures