激光写入的无结双平面栅薄膜晶体管及其与逻辑功能
材料科学
2012-04-12 v1
摘要
开发了一种简单的激光刻写工艺，用于制造低压无结平面栅薄膜晶体管（TFT）阵列，无需任何掩模和光刻。这种无结TFT的特点是沟道和源/漏电极由相同的氧化铟锡薄膜构成，无需任何有意的源/漏结沉积过程。在这种平面栅器件上实现了有效的场效应调制漏极电流，场效应迁移率约为12.6 cm²/Vs。最后，在双平面栅器件上演示了与门逻辑功能。
引用
@article{arxiv.1204.2312,
title = {Laser written junctionless dual in-plane-gate thin-film transistors with AND Logic function},
author = {Li Qiang Zhu and Guo Dong Wu and Hong Liang Zhang and Ju Mei Zhou and Qing Wan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2312},
year = {2012}
}