用于三维无结晶体管制备的激光加工
应用物理
2020-12-01 v1
摘要
为充分利用无结晶体管（JLT）低成本与低温的特性，我们研究了一种 475 °C 工艺，用于在晶圆上于绝缘体上制备薄多晶硅层。我们制备了厚度为 13 nm、掺杂（磷，1E19 at/cm3）的多晶硅薄膜，其粗糙度表现优异（Rmax = 1.6 nm，RMS = 0.2 nm）。给出了利用纳秒（ns）激光退火优化晶粒尺寸的指导意见。
引用
@article{arxiv.2011.15061,
title = {Laser Processing For 3D Junctionless Transistor Fabrication},
author = {D. Bosch and P. Acosta Alba and S. Kerdiles and V. Benevent and C. Perrot and J. Lassarre and J. Richy and J. Lacord and B. Sklenard and L. Brunet and P. Batude and C. Fenouillet-Beranger and D. Lattard and J. P. Colinge and F. Balestra and F. Andrieu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.15061},
year = {2020}
}