在液相剥离 MoS2 上大规模制造 RF MOSFET
应用物理
2018-12-03 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
首次在 300 {\deg}C 以下以近 100% 的良率批量制造了数千个基于液相剥离 MoS2 的 RF MOSFET。高良率的大规模制造使得能够报告平均性能而非最佳性能。这些器件的直流(DC)性能表现典型，但由掩埋栅极实现并处于 100 MHz 量级的射频(RF)性能是首次针对液相剥离 MoS2 进行报告。为了解决薄膜与厚膜之间的两难问题，在 20 nm 厚的薄膜上使用了栅极凹槽以改善栅极控制，同时保持接触电阻低于 10 nm 薄膜上的接触电阻。这些创新可能使薄膜晶体管能够在微波范围内工作。
引用
@article{arxiv.1803.09906,
title = {Large-Scale Fabrication of RF MOSFETs on Liquid-Exfoliated MoS2},
author = {Kuanchen Xiong and Lei Li and Asher Madjar and James C. M. Hwang and Zhaoyang Lin and Yu Huang and Xiangfeng Duan and Alexander Goritz and Matthias Wietstruck and Mehmet Kaynak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.09906},
year = {2018}
}