MoS2 薄膜晶体管的高温性能：直流与脉冲电流 - 电压特性

对 MoS2 薄膜晶体管高温电流 - 电压特性的测量表明，这些器件在至少高达 500 K 的温度下仍保持功能。温度升高导致阈值电压和迁移率降低。直流与脉冲测量的对比显示，MoS2 薄膜器件的直流亚线性和超线性输出特性源于焦耳热以及阈值电压和迁移率温度依赖性之间的相互作用。在高于 450 K 的温度下，出现了一种有趣的“记忆台阶”现象——即在零栅压下漏极电流出现拐点，且与阈值电压值无关。这种记忆台阶效应归因于薄膜中的慢弛豫过程，类似于石墨烯和电子玻璃中的过程。所得结果表明，MoS2 薄膜晶体管在极端温度电子学和传感器领域具有新的应用前景。