高迁移率未封装单层 MoS2 晶体管中的类能带输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1 材料科学
摘要
超薄 MoS2 最近作为一种有前景的二维半导体出现在电子和光电子应用中。在此，我们报道了高迁移率（室温下>60 cm2/Vs）的场效应晶体管，其采用氧化 Si 晶圆上的未封装单层 MoS2，且具有低水平的外在污染。虽然亚阈值区间的电荷输运符合变程跳跃模型，但场效应迁移率随温度升高而单调下降表明线性区间内存在类能带输运。在低于 100 K 的温度下，与温度无关的迁移率受库仑散射限制；而在高于 100 K 的温度下，受声子限制的迁移率随温度升高按幂律下降。
引用
@article{arxiv.1304.5567,
title = {Band-Like Transport in High Mobility Unencapsulated Single-Layer MoS2 Transistors},
author = {Deep Jariwala and Vinod K. Sangwan and Dattatray J. Late and James E. Johns and Vinayak P. Dravid and Tobin J. Marks and Lincoln J. Lauhon and Mark C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.5567},
year = {2015}
}