具有潜在高室温迁移率的二维半导体
材料科学
2015-05-22 v1
摘要
我们计算了 14 种成分为 MX 的二维半导体的纵向声学声子限制电子迁移率，其中 M (= Mo, W, Sn, Hf, Zr 和 Pt) 为过渡金属，X 为 S、Se 和 Te。我们采用形变势近似处理散射矩阵。我们发现，在这 14 种化合物中，MoTe、HfSe 和 HfTe 在潜在的高迁移率和有限带隙方面颇具前景。室温下的声子限制迁移率可高于 2500 cmVs。
引用
@article{arxiv.1403.3872,
title = {Two dimensional semiconductors with possible high room temperature mobility},
author = {Wenxu Zhang and Zhishuo Huang and Wanli Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3872},
year = {2015}
}