发现并理解室温下具有高本征载流子迁移率的二维半导体
材料科学
2023-03-08 v2
摘要
二维（2D）半导体在下一代电子和光电子器件中已展现出巨大潜力。然而，目前的二维半导体在室温下本征载流子迁移率较低，这显著限制了其应用。在此，我们发现了多种新型二维半导体，其迁移率比现有材料高一个数量级。这一发现是通过开发高效描述符对二维材料数据库进行高通量计算筛选，随后使用最先进的第一性原理方法精确计算迁移率而实现的。进一步的分析将其优异迁移率归因于小有效质量、高声速、高光学声子频率、玻恩电荷与极化率之比小，和/或弱电子-声子耦合。我们的工作为 realization 高性能器件和/或此前难以实现的奇异物理现象开辟了新材料，并增进了对载流子传输机制的理解。
引用
@article{arxiv.2208.10663,
title = {Discovering and Understanding 2D Semiconductors with High Intrinsic Carrier Mobility at Room Temperature},
author = {Chenmu Zhang and Ruoyu Wang and Himani Mishra and Yuanyue Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.10663},
year = {2023}
}