原子级薄 MoS2 场效应晶体管中电子态的本质
介观与纳米尺度物理
2014-03-14 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们报道了在五个场效应晶体管器件上进行的低温电输运实验，这些器件由机械剥离至 Si/SiO2 衬底上的单层、双层和三层 MoS2 薄膜构成。我们的实验表明，在实验可及的栅压范围内，所有薄膜中的电子态直至室温都处于局域化状态。这在高温下表现为二维 (2D) 变程跳跃 (VRH)，而在低于 \sim 30 K 时，电导率在栅压下表现出由局域位点处的共振隧穿引起的振荡结构。根据 VRH 的关联能 (T0) 以及电导率对栅压的依赖关系，我们提出衬底中俘获电荷的库仑势是 MoS2 场效应器件中无序的主要来源，这也导致了载流子局域化。
引用
@article{arxiv.1203.5656,
title = {The Nature of Electronic States in Atomically Thin MoS2 Field-Effect Transistors},
author = {Subhamoy Ghatak and Atindra Nath Pal and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.5656},
year = {2014}
}
备注
10 pages, 5 figures; ACS Nano (2011)