短沟道 MoS2 晶体管中的陷阱辅助空间电荷限制输运
介观与纳米尺度物理
2013-09-17 v1
摘要
我们展示了高源漏偏压下短沟道 MoS 场效应器件的温度依赖性 测量结果。我们发现，虽然 特性在低偏压下呈欧姆性，但在高 下导电变为空间电荷限制，并观察到指数分布的陷阱态存在。还确定了与温度无关的临界漏源电压 ()。陷阱态密度由 定量计算得出。文中还讨论了这些器件中指数陷阱分布的可能起源。
引用
@article{arxiv.1308.4858,
title = {Trap-assisted space charge limited transport in short channel MoS2 transistor},
author = {Subhamoy Ghatak and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.4858},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures