MoS2晶体管转移特性中的迟滞现象
介观与纳米尺度物理
2017-10-24 v1
摘要
我们研究了以剥离MoS2为沟道的背栅场效应晶体管转移特性中观察到的迟滞现象的起源。我们发现，通过增加栅极电压、压力、温度或光照强度，迟滞现象会显著增强。我们的测量揭示了迟滞在室温附近呈现阶梯状行为，我们将其解释为MoS2/SiO2界面处水分子促进的电荷俘获。我们得出结论，除了未钝化器件表面的H2O和O2吸附物外，MoS2中的本征缺陷（如硫空位，导致有效的正电荷俘获）也起着重要作用。我们展示了与迟滞相关的双稳态可被用于存储器件。
引用
@article{arxiv.1708.01238,
title = {Hysteresis in the transfer characteristics of MoS2 transistors},
author = {Antonio Di Bartolomeo and Luca Genovese and Filippo Giubileo and Laura Iemmo and Giuseppe Luongo and Tobias Foller and Marika Schleberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.01238},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 6 figures