黑磷场效应晶体管中的记忆效应
介观与纳米尺度物理
2021-10-18 v1
摘要
我们报道了以黑磷为沟道的背栅场效应晶体管的制备与电学表征。我们表明，由本征缺陷引起的转移特性滞回可被利用来实现非易失性存储器。我们证明，栅电压脉冲能够在缺陷态中捕获并存储电荷，从而实现 endurance 超过200次循环、retention 长于30分钟的记忆器件。我们表明，在黑磷沟道上方使用保护性聚甲基丙烯酸甲酯（poly(methyl methacrylate)）层不影响器件的电学特性，但可避免由空气暴露引起的降解。
引用
@article{arxiv.2110.08148,
title = {Memory effects in black phosphorus field effect transistors},
author = {Alessandro Grillo and Aniello Pelella and Enver Faella and Filippo Giubileo and Stephan Sleziona and Osamah Kharsah and Marika Schleberger and Antonio Di Bartolomeo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.08148},
year = {2021}
}