金纳米颗粒 - 并五苯存储晶体管
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们展示了一种基于并五苯 - 金纳米颗粒活性层的有机存储晶体管器件。金 (Au) 纳米颗粒通过氨基封端的自组装单分子层固定在并五苯晶体管的栅极介质（二氧化硅）上。在栅极施加写入和擦除脉冲时，获得了大的阈值电压偏移（22 V）和约 3E4 的开/漏电流比。晶体管在开态和关态下的空穴场效应迁移率相似（差异小于 2 倍）。观察到长达 4500 秒的电荷保持时间。存储效应主要归因于金纳米颗粒。
引用
@article{arxiv.0802.2633,
title = {Gold nanoparticle-pentacene memory-transistors},
author = {Christophe Novembre and David Guerin and Kamal Lmimouni and Christian Gamrat and Dominique Vuillaume},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.2633},
year = {2009}
}