基于由电聚合噻吩-EDOT单元功能化的金纳米颗粒衍生的单层器件的负微分电阻、记忆与可重构逻辑功能
应用物理
2017-07-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了混合忆阻器件，其由经定制的3,4-乙烯二氧噻吩（TEDOT）分子功能化的金纳米颗粒（直径10 nm）网络构成，沉积在具有纳米和微米间隙（相距100 nm至10 μm）的两个平面电极之间，并原位电聚合形成嵌入金纳米颗粒（AuNPs）的共轭聚合物单层膜。这些薄膜的电学性质表现出两种有趣行为：(i) 负微分电阻（NDR, negative differential resistance）行为，峰值/谷值比高达17；(ii) 记忆行为，其开/关电流比约为1E3至1E4。通过对开关动力学和编程电压窗口的仔细研究，证明了一种非易失性存储器。开和关状态的数据保持稳定（测试长达24小时），受电压良好控制，并在重复开关周期（本研究中为800次）时得以保持。我们展示了在多端连接的纳米颗粒分子器件中的可重构布尔函数。
引用
@article{arxiv.1704.08629,
title = {Negative Differential Resistance, Memory and Reconfigurable Logic Functions based on Monolayer Devices derived from Gold Nanoparticles Functionalized with Electro-polymerizable Thiophene-EDOT Units},
author = {T. Zhang and D. Guerin and F. Alibart and D. Vuillaume and K. Lmimouni and S. Lenfant and A. Yassin and M. Ocafrain and P. Blanchard and J. Roncali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.08629},
year = {2017}
}
备注
Full manuscript, figures and supporting information, J. Phys. Chem. C, on line, asap (2017)