1 维非易失性存储器器件电子密度分布的仿真
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
对基于导电铁电/非铁电薄膜层积结构的新型非易失性存储器器件进行数值仿真。仿真涉及泊松方程和电子传输方程的自洽稳态解，假设电子遵循漂移-扩散传输机制。特别强调了导电电子对自发极化的屏蔽作用随施加电压的变化。根据铁电层中极化方向的不同，得到高阻态和低阻态，从而产生滞回 I-V 特性。计算了 R_high 到 R_low 比值随掺杂含量的变化，范围从 >50% 到几个数量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312609,
title = {1-D Simulation of the Electron Density Distribution in a Novel Nonvolatile Resistive Random Access Memory Device},
author = {Rene Meyer and Hermann Kohlstedt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312609},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures