磁弹性通用逻辑门：一种具有超低能耗延迟积的非易失、容错布尔逻辑门
介观与纳米尺度物理
2015-04-21 v4
摘要
计算机技术的一个长期目标是使用同一器件处理和存储数字信息，以实现新架构。实现这一目标的途径之一是使用纳米磁“非易失”逻辑门，它们既能执行布尔运算，又能将输出数据存储于纳米磁体的磁化状态中，从而兼具逻辑和记忆功能。不幸的是，许多已提出的纳米磁门不具备布尔逻辑门的七个基本特征：可级联性、非线性、输入输出隔离、增益、通用逻辑实现能力、可扩展性和容错性。更重要的是，它们的能耗延迟积和误码率远超传统的基于晶体管的逻辑门，这是一个显著缺点。在此，我们提出一种非易失电压控制纳米磁逻辑门，它具备逻辑门所需的所有必要特征，其能耗延迟积比其他纳米磁（非易失）逻辑门低约 2 个数量级，比（易失性）基于 CMOS 的逻辑门低约 1 个数量级。其容错性也优于其他已知的纳米磁门。
引用
@article{arxiv.1412.7765,
title = {Magneto-elastic universal logic gate: A non-volatile, error-resilient Boolean logic gate with ultra-low energy-delay product},
author = {Ayan K. Biswas and Jayasimha Atulasimha and Supriyo Bandyopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7765},
year = {2015}
}
备注
There were some typographical errors in version 2 which have been corrected