铁电二极管是否可作为无选择器、通用、非易失存储器
材料科学
2025-04-01 v1 应用物理
摘要
近年来，随着面向CMOS制程的铁电（FE）薄膜技术的进步，铁电基非易失存储器（NVM）器件的研究热情重新燃起。铁电二极管（FeD）是一种具有二端 NVM 器件，表现出整流电压-电流滞回特性，使其在高密度存储中实现自选设计至关重要。我们审查了基于CMOS兼容HZO、AlScN以及新兴片层晶体管材料的FeD的进展。尽管FeD在ON/OFF电阻比和整流性能方面表现出前景，但仍面临循环寿命有限、工作电压偏高、读取电流不足等持续挑战。我们提供了面向能源效率电子存储应用的材料focused策略，以增强FeD的可靠性和性能，强调其独特的自整流特性在交叉阵列中无需选择元件即可用于计算存储应用。
引用
@article{arxiv.2503.23880,
title = {Can a ferroelectric diode be a selector-less, universal, non-volatile memory?},
author = {Soumya Sarkar and Xiwen Liu and Deep Jariwala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.23880},
year = {2025}
}