超薄 α-In2Se3 中的非易失铁电存储效应
材料科学
2018-10-15 v1
摘要
近期关于层状 α-In2Se3 的实验已证实其在常温常压下具有室温铁电性。该观测使 α-In2Se3 成为开发基于二维（2D）层状材料、具非易失功能电子器件的优良平台。在本快报中，我们展示了由超薄 α-In2Se3 与石墨烯构成的混合 2D 铁电场效应晶体管（FeFET）中的非易失存储效应。由于源自铁电 α-In2Se3 电极化的静电掺杂，FeFET 中石墨烯沟道的电阻可调且具保持性。电子逻辑比特可由顶栅铁电体中电偶极子的不同取向来表示与存储。该 2D FeFET 可随机重写超过 10^5 次而不丧失非易失性。我们的方法展示了范德瓦耳斯 2D 材料中具铁电性的可重写非易失存储器的原型。
引用
@article{arxiv.1810.05328,
title = {Non-volatile ferroelectric memory effect in ultrathin {\alpha}-In2Se3},
author = {Siyuan Wan and Yue Li and Wei Li and Xiaoyu Mao and Chen Wang and Jiyu Dong and Anmin Nie and Jianyong Xiang and Zhongyuan Liu and Wenguang Zhu and Hualing Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.05328},
year = {2018}
}
备注
19 pages, 4 figures