基于石墨烯-铁电衬底的非易失性存储器和红外辐射调制器：综述
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
我综述了近三年内关于石墨烯置于铁电（有机或Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT)陶瓷）衬底上的物理性质及可能应用的实验和理论研究。与沉积在SiO2或高介电常数电介质上的石墨烯相比，“石墨烯-铁电衬底”系统具有独特优势。特别是，在中等（约1 V）栅压下，可以在掺杂的石墨烯-铁电结构中获得高（约10^12 cm^-2）载流子浓度。石墨烯沟道电阻对栅压依赖关系中的迟滞（或反迟滞）现象有助于创建用于不同应用的双稳态系统。铁电衬底的使用已经使得开发新一代稳健的非易失性存储元件成为可能。这些元件可工作超过10^5次开关周期，信息存储时间超过10^3秒。理论上，这类系统具有超快开关速率（约10-100 fs）。理论分析还表明，“石墨烯-PZT铁电衬底”结构将有助于开发用于不同光电子应用的高效、快速、小尺寸中红外和近红外辐射调制器。
引用
@article{arxiv.1207.0647,
title = {Non-volatile memory and IR radiation modulators based upon graphene-on-ferroelectric substrate. A review},
author = {Maksym Strikha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.0647},
year = {2015}
}
备注
23 pages, 17 figures