石墨烯上的铁电门控太赫兹等离激元学
介观与纳米尺度物理
2013-01-23 v1 材料科学
摘要
受近期低功耗铁电门控存储器与晶体管进展的启发，我们提出了一种基于夹在铁电晶体中的石墨烯片的铁电门控纳米等离激元器件设计。我们表明，在太赫兹频率下，石墨烯中的二维等离激元与铁电体中的声子极化激元发生强耦合，使得在仅 3--4 THz 时产生 100--200 nm 量级的特征模波长。通过将铁电体图案化为不同的畴，可以制备出紧凑的片上等离激元波导，即使在 50 nm 的间距下，这些波导也表现出可忽略的串扰。利用铁电体的记忆效应，可以在这些等离激元波导上实现低功耗的电光切换。
引用
@article{arxiv.1301.5301,
title = {Ferroelectric-Gated Terahertz Plasmonics on Graphene},
author = {Dafei Jin and Anshuman Kumar and Kin Hung Fung and Jun Xu and Nicholas X. Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.5301},
year = {2013}
}
备注
4 figures