栅控石墨烯对载流子诱导辐射调制的研究
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1 材料科学
摘要
本文从理论上研究了由于栅压改变载流子浓度而引起带间跃迁变化所导致的透射（反射）辐射的调制。计算针对强掺杂石墨烯置于高 K（Al₂O₃、HfO₂、AlN 和 ZrO₂）或 SiO₂ 衬底上的情形，辐射沿法向传播。我们获得了超过 10% 的调制深度，其依赖于波长、栅压（即载流子浓度）以及衬底参数。石墨烯—电介质衬底—掺杂 Si（作为栅极）结构可用作近红外和中红外辐射的有效电光调制器，分别对应于高 K 和 SiO₂ 衬底的情形。
引用
@article{arxiv.1109.3868,
title = {Carrier-induced modulation of radiation by a gated graphene},
author = {M. V. Strikha and F. T. Vasko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.3868},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 7 figures