基于铁电衬底上栅控石墨烯的中红外辐射调制
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
本文从理论上证明了利用低压栅控单层/多层石墨烯在Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT)铁电衬底上调制中红外辐射的可能性。在薄PZT外延薄膜表现为高-κ介电质的栅压范围内，5层石墨烯的调制深度可达10%量级。
引用
@article{arxiv.1111.2954,
title = {Modulation of mid-IR radiation by a gated graphene on ferroelectric substrate},
author = {Maksym Strikha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.2954},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 4 figures