面向下一代非易失性存储器的石墨烯纳米技术
介观与纳米尺度物理
2013-09-02 v1
摘要
随着传统硅技术在持续微缩中接近其基础材料和物理极限，人们越来越迫切地寻求新的平台来设计用于纳米电子应用的存储电路。在本文中，我们探索了基于石墨烯纳米技术的非易失性存储器的新设计概念。研究聚焦于两种形式的石墨烯基场效应晶体管 (FET)：碳纳米管 FET (CNTFET) 和石墨烯纳米带 FET (GNRFET)。分析表明，具有高俘获能力氧化层结构的 GNRFET 适用于超高密度非易失性存储器。
引用
@article{arxiv.1308.6782,
title = {Graphene Nanotechnology for the Next Generation Nonvolatile Memory},
author = {Md. Nahid Hossain and Masud H Chowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.6782},
year = {2013}
}
备注
Graphene Nanotechnology for Nonvolatile Memory