基于CNTFET 32nm技术的不同SRAM的设计与建模
新兴技术
2012-03-12 v1
摘要
碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）是指一种场效应晶体管，它利用单个碳纳米管或碳纳米管阵列作为沟道材料，而不是传统MOSFET结构中的体硅。自1998年首次演示以来，CNTFET取得了巨大发展，有望成为未来电子学中替代硅的材料。碳纳米管是纳米级电子器件（如用于超高密度集成电路的纳米管FET和用于新型智能电路的量子效应器件）的有前途的材料，预计将给当前的硅技术带来突破。静态随机存取存储器（SRAM）的设计满足两个需求：i) SRAM作为缓存存储器，在中央处理器和动态随机存取存储器（DRAM）之间通信。ii) SRAM技术作为低功耗应用的驱动力，因为SRAM比DRAM更便携，且SRAM不需要任何刷新电流。基于所获得的知识，我们提出了为传统CNTFET设计的不同SRAM。使用斯坦福CNTFET模型对该电路进行HSPICE仿真，显示在节能方面有显著改善。
引用
@article{arxiv.1203.1971,
title = {Design and modelling of different SRAM's based on CNTFET 32nm technology},
author = {Naagesh S. Bhat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1971},
year = {2012}
}
备注
15 Pages