高频扫描门显微镜及碳纳米管晶体管中局部存储效应的实验研究
材料科学
2007-05-23 v2 强关联电子
摘要
我们利用阻抗光谱技术测量了单壁碳纳米管场效应晶体管 (swCN-FET) 的高频性能。进一步将扫描门显微镜 (SGM) 扩展至15MHz频率，用于成像swCN-FET电路因SGM尖端加压而引起的阻抗变化。与早前报告不同，两项实验结果均与swCN-FET的简单并联RC电路模型相符，其时间常数为0.3 ms。我们还利用SGM尖端显示，晶体管中通常观察到的存储效应具有局部性，从而表明基于纳米管的存储单元可 miniaturized至约十纳米尺度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504534,
title = {High frequency Scanning Gate Microscopy and local memory effect of carbon nanotube transistors},
author = {Cristian Staii and Rui Shao and Dawn A. Bonnell and Alan T. Johnson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504534},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 3 figures, to appear in Nano Letters