纳米电子器件扫描阻抗显微术中的针尖门控效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
通过结合扫描门控显微术与扫描阻抗显微术（SIM），研究了半导体单壁碳纳米管中的电子输运。根据探针电势的不同，SIM可在侵入性与非侵入性两种模式下进行。当探针作为局部门控并同时充当局部电势的静电探针时，可实现缺陷的高分辨率成像。即使一类弱缺陷位于强缺陷附近，也能变得可观测。讨论了针尖门控扫描阻抗显微术的成像机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210474,
title = {Tip-gating Effect in Scanning Impedance Microscopy of Nanoelectronic Devices},
author = {Sergei V. Kalinin and Dawn A. Bonnell and Marcus Freitag and A. T. Johnson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210474},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 3 figures, to be published in Appl. Phys. Lett