扫描栅显微镜对半导体量子结构中电子输运的成像：成功与局限
介观与纳米尺度物理
2011-04-12 v1
摘要
本文简要回顾了扫描栅显微镜在埋层半导体量子结构中电子输运成像中的应用。在介绍该技术及其一些实际问题后，我们总结了文献中一系列成功案例，包括我们自己的研究。后者侧重于在低磁场 Aharonov-Bohm 区和高场量子霍尔区对 GaInAs 基量子环的成像。基于我们自身的经验，我们随后详细讨论了扫描栅显微镜的一些局限性。这些包括可能的针尖诱导伪影、施加于扫描针尖的大偏压效应，以及不需要的电荷陷阱对电导图的影响。我们强调在解读这些扫描栅图像时必须格外谨慎。
引用
@article{arxiv.1104.2032,
title = {On the imaging of electron transport in semiconductor quantum structures by scanning-gate microscopy: successes and limitations},
author = {Hermann Sellier and Benoit Hackens and Marco Pala and Frederico Martins and Samuel Baltazar and Xavier Wallart and Ludovic Desplanque and Vincent Bayot and Serge Huant},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.2032},
year = {2011}
}
备注
Special issue on (nano)characterization of semiconductor materials and structures