掺杂 InAs 纳米线中的电子输运 regime
介观与纳米尺度物理
2023-05-24 v1 强关联电子
摘要
我们报道了在 Si 掺杂 InAs 量子线中，利用原子力显微镜带电针尖作为移动栅极（即扫描栅显微镜，SGM）进行的低温磁输运测量。通过用背栅电压改变载流子浓度，我们使该线经历了若干输运 regime：从残余库仑阻塞到非线性共振 regime，接着是线性共振 regime，最后到几乎均匀的扩散 regime。我们展示了扫描栅显微镜测量的图样与普适电导涨落谱之间的直接关系。在非线性和线性共振输运 regime 中观察到磁电导依赖的分形行为的明确迹象。
引用
@article{arxiv.2305.13983,
title = {Regimes of electronic transport in doped InAs nanowire},
author = {A A Zhukov and I E Batov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.13983},
year = {2023}
}
备注
19 pages, 13 figures