多线束SnO2化学场效应器器件中的电子传输成像
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
利用宏观传输测量和扫描表面电位显微镜(SSPM)的组合，探讨了单个SnO2交叉纳米线器件的电子传输及感性能。器件结构通过扫描电子显微镜和原子力显微镜数据确定。两个交叉1D纳米结构的SSPM图像显示，在交叉线桥处及接触处均存在较大的直流电压降，确认这些位置是电路中主要的电活性元件。该器件的气体灵敏度与由相同尺寸的各向同质纳米结构制造的传感器相当。在室温下，直流传输测量受到表面场诱导电荷及栅氧化层影响较大。这些电荷导致传输测量中出现记忆效应及电荷动力学，这些动力学通过SSPM可视化。最后，扫描探针显微镜用于测量单个活性电路元件的电压-电流特性，为在单个纳米线中理解化学功能提供了详细的途径。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506621,
title = {Electronic Transport Imaging in a Multiwire SnO2 ChemFET Device},
author = {S. V. Kalinin and J. Shin and S. Jesse and D. Geohegan and A. P. Baddorf and Y. Lilach and M. Moskovits and A. Kolmakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506621},
year = {2009}
}
备注
30 pages, 8 figures, accepted to J. Appl. Phys