SnTe纳米线器件中的量子输运
介观与纳米尺度物理
2025-03-31 v1 材料科学
摘要
我们报道了在SnTe纳米线器件中进行的各种量子输运实验。针对这些特定纳米线器件的研究与其拓扑性质相关，因为其高的表面-容积比有助于抑制杂质对电导的贡献，从而能够区分表面态。我们观察到两种电阻模式：高阻器件显示半导体行为和量子点行为，这些行为由制造过程中的细微差异引起；而低阻器件在超导体-纳米线混合配置或法布里-珀尔振荡下表现出部分超导性。后者表明，电子在基于SnTe中二维表面态的球面传输通道中发生量子干涉。各种量子输运现象的出现，表明SnTe纳米线是一个适用于多种后续实验和新型器件架构的有前景的平台，包括拓扑超导性探索和低能量自旋器件开发。
引用
@article{arxiv.2503.22317,
title = {Quantum transport in SnTe nanowire devices},
author = {Femke J. Witmans and Mathijs G. C. Mientjes and Maarten J. G. Kamphuis and Vince van de Sande and Xin Guan and Hans Bolten and Marcel A. Verheijen and Chuan Li and Joost Ridderbos and Erik P. A. M. Bakkers and Alexander Brinkman and Floris A. Zwanenburg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.22317},
year = {2025}
}