选择性生长InP脊形结构中栅控InGaAs和InAsP量子阱线的电子输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v2
摘要
本工作的目的是制造嵌入在InP脊形结构中的带状InGaAs和InAsP线，并研究其输运性质。包含这些线的InP脊形结构是通过化学束外延(CBE)在预图案化的InP衬底上选择性生长的。为了优化电子输运的生长和微加工工艺，我们使用标准输运和Shubnikov-de Haas测量，探索了欧姆接触电阻、电子密度和迁移率随线宽的变化。在低温下，脊形结构显示出可重现的介观电导涨落。我们还制造了具有亚微米栅电极的脊形结构，这些结构表现出无泄漏的栅控和良好的夹断特性，可满足器件操作要求。利用这种包裹栅电极，我们证明了这些线可以被分割形成量子点，输运测量中的库仑阻塞振荡证实了这一点。
引用
@article{arxiv.0908.4581,
title = {Electron transport in gated InGaAs and InAsP quantum well wires in selectively-grown InP ridge structures},
author = {G. Granger and A. Kam and S. A. Studenikin and A. S. Sachrajda and G. C. Aers and R. L. Williams and P. J. Poole},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.4581},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures, additional references and improved Fig. 4c, MSS-14 conference, submitted to Physica E