InAs/GaSb 拓扑绝缘相中的边缘通道输运
介观与纳米尺度物理
2016-11-26 v1
摘要
利用具有 2-m 边缘通道长度的六端子霍尔棒几何结构，研究了具有不同 InAs 层厚度的 InAs/GaSb 异质结构中的输运特性。对于具有 12-nm 厚 InAs 层的样品，采用各种电流/电压接触配置的非局域电阻测量表明，输运主要由边缘通道主导，体相贡献可忽略不计。系统的非局域测量使我们能够提取单个边缘通道的电阻，揭示了指示非弹性散射的尖锐电阻涨落。我们的结果表明，InAs/GaSb 系统可以被定制为具有导电边缘通道，同时在体相区域保持能隙，这为即使在量子化输运缺失的情况下研究二维拓扑绝缘体提供了一种方法。
引用
@article{arxiv.1306.4234,
title = {Edge Channel Transport in InAs/GaSb Topological Insulating Phase},
author = {Kyoichi Suzuki and Yuichi Harada and Koji Onomitsu and Koji Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.4234},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 6 figures