InAs/GaSb 边缘导电态中的邻近诱导超导性
介观与纳米尺度物理
2017-12-20 v3
摘要
我们通过实验研究铟超导体与 InAs/GaSb 双层边缘之间界面的 Andreev 输运。为覆盖 InAs/GaSb 能谱的所有可能 regime，我们研究了具有 10 nm、12 nm 和 14 nm 厚 InAs 量子阱的样品。对于 10 nm 样品中直接带绝缘体的平庸情形，微分电阻表现出标准 Andreev 反射。对于具有能带反转的 InAs/GaSb 结构（12 nm 和 14 nm 样品），我们观测到明显的低能结构，将其视为载流边缘态中邻近诱导超导性的直接证据。对于 14 nm InAs 阱样品，我们还观测到类介观电阻涨落，其在低磁场下呈现阈值抑制。
引用
@article{arxiv.1710.11375,
title = {Proximity-induced superconductivity within the InAs/GaSb edge conducting state},
author = {A. Kononov and V. A. Kostarev and B. R. Semyagin and V. V. Preobrazhenskii and M. A. Putyato and E. A. Emelyanov and E. V. Deviatov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.11375},
year = {2017}
}
备注
final version