整数量子霍尔边缘态中的诱导超导配对
介观与纳米尺度物理
2022-08-24 v3 超导电性
摘要
近表面量子阱(QWs)中的砷化铟(InAs)在制备半导体-超导体异质结构方面具有前景，因为其允许量子阱中的二维态与超导体中的态之间产生强杂化。在本工作中，我们展示了置于超导NbTiN邻近处的量子霍尔区InAs量子阱的结果。我们观察到负的下游电阻以及相应的霍尔(上游)电阻降低，这与极高的Andreev转换一致。我们使用Landauer-Büttiker形式体系分析实验数据，并将其推广以允许Andreev反射过程。我们将器件中Andreev转换的高效率归因于InAs/NbTiN界面的大透明度和量子霍尔边缘模与超导体中态的随之而来的强杂化。
引用
@article{arxiv.2108.08899,
title = {Induced superconducting pairing in integer quantum Hall edge states},
author = {Mehdi Hatefipour and Joseph J. Cuozzo and Jesse Kanter and William Strickland and Christopher R. Allemang and Tzu-Ming Lu and Enrico Rossi and Javad Shabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.08899},
year = {2022}
}
备注
New measurements. Updated figures and discussion