InAs/GaSb量子阱中螺旋边缘模式的完美Andreev反射
介观与纳米尺度物理
2013-05-30 v1 超导电性
摘要
本文报道了对处于杂化 regime 并由超导电极接触的倒转型 InAs/GaSb 复合量子阱的实验研究。我们利用前栅极将费米能级调节至微能隙中，近期实验表明该处存在螺旋边缘模式 [arXiv:1105.0137]。在整个微能隙中观察到微分电阻的零偏压凹陷，表明输运由 Andreev 反射过程主导。微能隙微分电阻随外加偏压的演化以及测得的 150 nA 的微能隙过剩电流，与螺旋边缘模式的完美 Andreev 反射预测吻合良好，而该完美反射是由缺乏背散射通道所必需的。尽管界面处存在有限势垒，完美 Andreev 反射依然发生，并对时间反演破缺表现出强烈的敏感性——这些都是量子自旋霍尔边缘螺旋性质的标志。
引用
@article{arxiv.1106.5819,
title = {Perfect Andreev Reflection of Helical Edge Modes in InAs/GaSb Quantum Wells},
author = {Ivan Knez and Rui-Rui Du and Gerard Sullivan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5819},
year = {2013}
}