二维半金属边缘处的安德烈耶夫反射
介观与纳米尺度物理
2016-02-03 v1 超导电性
摘要
我们研究了电子通过铌超导体与二维半金属边缘之间界面的输运，该半金属实现于20~nm宽的HgTe量子阱中。实验上，我们观察到单个安德烈耶夫接触的典型行为因显著的零偏压电阻异常和具有 周期性的浅亚隙电阻振荡而变得复杂。这些结果被证明与超导材料无关，应被视为与超导体邻近的二维半金属所特有。我们将这些效应解释为源于二维半金属边缘的类安德烈耶夫关联过程。
引用
@article{arxiv.1511.08085,
title = {Andreev reflection at the edge of a two-dimentional semimetal},
author = {A. Kononov and S. V. Egorov and Z. D. Kvon and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky and E. V. Deviatov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08085},
year = {2016}
}
备注
5 pages