NbN/Au/InGaAs-InP 异构结中的安德鲁反射与增强次隙电导

I. E. Batov; Th. Schaepers; A. A. Golubov; A. V. Ustinov

doi:10.1063/1.1783612

NbN/Au/InGaAs-InP 异构结中的安德鲁反射与增强次隙电导

介观与纳米尺度物理 2009-11-10 v2

作者: I. E. Batov , Th. Schaepers , A. A. Golubov , A. V. Ustinov

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摘要

我们报告了由超导 NbN 电极、薄(10nm) Au 垫层以及 InGaAs/InP 异构结构中的二维电子气形成的高度透明的超导/正常金属/2DEG 异构结的制造。通过采用 Au/NbN 蒸发和 400C 快速退火的新方法，实现了高异构结透射率。这使得我们首次观察到在超导/2DEG 近邻系统中，超导能隙内具有显著双谷结构的微观电阻下降。研究了垂直于 2DEG 平面的磁场对界面微观电阻的影响。发现即使在高磁场下，次隙电阻仍然存在。对零场数据进行分析，采用此前建立的近邻效应的准经典模型。

关键词

安德鲁反射超导体正常金属 2DEG 次隙电导磁场近邻效应

引用

@article{arxiv.cond-mat/0309682,
  title  = {Andreev reflection and enhanced subgap conductance in NbN/Au/InGaAs-InP junctions},
  author = {I. E. Batov and Th. Schaepers and A. A. Golubov and A. V. Ustinov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309682},
  year   = {2009}
}

备注

15 pages, 5 figures

NbN/Au/InGaAs-InP 异构结中的安德鲁反射与增强次隙电导

摘要

关键词

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