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具有完美 NS 界面时SNS 夹层中的 Proximity 效应与安德烈夫隧穿

超导电性 2010-11-09 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

我们报告了在基于6 nm厚的超导性多晶PtSi薄膜制造的超导薄膜-正常金属线-超导薄膜(SNS)夹层的低温传输测量。研究了两种不同长度的正常金属线 L=1.5 μ\mum 和 L=6μ\mum,且宽度相同 W=0.3μ\mum。对于所有夹层均观察到与对电流 Proximity 效应相关的零偏置电阻下降,而产生于相干多次安德烈夫隧穿的亚谐密能隙结构则仅出现在正常金属线较短的SNS夹层中。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9907247,
  title  = {Proximity effects and Andreev reflection in mesoscopic SNS junction with perfect NS interfaces},
  author = {Z. D. Kvon and T. I. Baturina and R. A. Donaton and M. R. Baklanov and K. Maex and E. B. Olshanetsky and A. E. Plotnikov and J. C. Portal},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907247},
  year   = {2010}
}

备注

ReVTex, 4 pages, 4 eps figures included