超导/半导体结处的结电导与近邻效应测量

超导近邻效应在近期寻找薄膜半导体器件中马约拉纳模的研究中发挥了重要作用。利用输运测量来量化由近邻效应引起的半导体变化，可以提供对屏蔽和散射等动力学过程的度量。然而，在二端测量中，界面电导引起的电阻与半导体中的输运电阻是串联的。这两者都会发生变化，若无更多信息则无法将它们分离。我们设计了一种新的三端器件，它提供两种电阻测量值，足以提取结电导以及超导接触下的二维薄层电阻。我们比较了 Nb 与 InAs 以及 Nb 与 30% InGaAs 之间的结，所有样品均在离开超高真空分子束外延生长系统之前生长而成。最透明的结出现在 InAs 上，其每个 Landauer 模式的透射系数大于 0.6。采用离位沉积制作的接触则要 opaque 得多。我们发现，对于最透明的结，随着温度降低，电阻变化分数最大的是半导体的电阻。