高势垒透明度的SIN结中的亚能隙电导
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2 超导电性
摘要
我们研究了高透明度超导体-绝缘体-正常金属（SIN）结的电流-电压特性，其比隧道电阻低于每平方微米30千欧。这些结由不同的超导和正常导电材料制成，包括Nb、Al、AuPd和Cu。发现亚能隙漏电流明显大于标准隧道模型给出的值。我们使用相干扩散输运机制中的双电子隧道模型来解释我们的结果。我们证明，即使在高透明度的SIN结中，通过将结分成几个亚微米子结，也可以实现亚能隙电流的显著降低。这些结构可用作快速单通量量子（RSFQ）电路中用于控制约瑟夫森量子比特的非线性低噪声分流器。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605237,
title = {Subgap conductivity in SIN-junctions of high barrier transparency},
author = {S. V. Lotkhov and D. V. Balashov and M. I. Khabipov and F. -I. Buchholz and A. B. Zorin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605237},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 figures, 1 table