Al/InAs 纳米线/Al 扩散结中的邻近效应与界面透明性
介观与纳米尺度物理
2017-09-25 v1
摘要
我们研究了具有 Al 制成的超导接触的 InAs 纳米线 (NW) 结中的邻近效应。InAs 中的载流子密度通过背栅电压 调节。在高正 下，器件呈现出具有高透明界面的扩散结的输运特征——可观的过剩电流、重入电阻效应以及接近 Al 能隙 () 的邻近能隙值 ()。随着 降低，我们观察到在 NW 电导 处邻近能隙减小至 ，这被解释为 Al/InAs 界面透明性依赖于载流子密度的降低。我们证明， 的实验行为可由 Al/InAs 界面处具有浅势垒的模型紧密再现。
引用
@article{arxiv.1705.00443,
title = {Proximity effect and interface transparency in Al/InAs-nanowire/Al diffusive junctions},
author = {A. V. Bubis and A. O. Denisov and S. U. Piatrusha and I. E. Batov and J. Becker and J. Treu and D. Ruhstorfer and G. Koblmüller and V. S. Khrapai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.00443},
year = {2017}
}