反转型InAs/GaSb量子阱介观霍尔条中的有限电导率
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
我们实验研究了反转型InAs/GaSb量子阱介观尺寸霍尔条器件在低温下的电导率。利用一对静电栅极，我们能够将费米能级移动到电子-空穴杂化态，并观察到一个小能隙。能隙中电导率的温度依赖性显示出残余电导率，这可以通过Naveh和Laikhtman [Euro. Phys. Lett., 55, 545-551 (2001)]提出的在杂质散射存在下自由载流子和杂化载流子的贡献得到一致解释。将讨论所提出的螺旋边缘态稳定性的实验意义。
引用
@article{arxiv.1002.0360,
title = {Finite Conductivity in Mesoscopic Hall Bars of Inverted InAs/GaSb Quantum Wells},
author = {Ivan Knez and R. R. Du and Gerard Sullivan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0360},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures